Doç.Dr. HÜLYA DOĞAN


MAKALELER 1 - Current-voltage characteristics of thermally annealed Ni/n-GaAs Schottky contactsRead More: http://www.worldscientific.com/doi/abs/10.1142/S0218625X18500828 TURUT ABDULMECİT,YILDIRIM NEZİR,DOĞAN HÜLYA, Yayın Yeri: SURFACE REVIEW AND LETTERS, Yıl: 2017 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 2 - Photovoltaic and Electrical Properties of Al/Ruthenium(II)complex/p-Si Photodiode DOĞAN HÜLYA,ORAK İKRAM,YILDIRIM NEZİR, Yayın Yeri: Cumhuriyet Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fen Bilimleri Dergisi, Yıl: 2017 Ulusal Hakemli Endeks: TR DİZİN Özgün Makale 3 - The interface state density characterization by temperature dependent capacitance conductance frequency measurements in Au Ni n GaN structures TURUT ABDULMECİT,DOĞAN HÜLYA,YILDIRIM NEZİR, Yayın Yeri: Materials Research Express, Yıl: 2015 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 4 - Capacitance conductance frequency characteristics of Au Ni n GaN undoped GaN Structures DOĞAN HÜLYA,YILDIRIM NEZİR,ORAK İKRAM,TURUT ABDULMECİT,ELAGÖZ SEZAİ, Yayın Yeri: Physica B: Condensed Matter, Yıl: 2015 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 5 - Temperature dependent electrical transport propertiesof Au Ni n GaN Schottky barrier diodes Doğan Hülya, Elagöz Sezai, Yayın Yeri: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, Yıl: 2014 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 6 - The parameter extraction of the thermally annealed Schottkybarrier diode using the modified artificial bee colony KARABOĞA NURHAN,KOÇKANAT SERDAR,DOĞAN HÜLYA, Yayın Yeri: APPLIED INTELLIGENCE, Yıl: 2013 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 7 - Dependence of characteristic diode parameters in Ni n GaAs contacts on thermal annealing and sample temperature DOĞAN HÜLYA,YILDIRIM NEZİR,TURUT ABDULMECİT,BİBER MEHMET,AYYILDIZ ENİSE,NUHOĞLU ÇİĞDEM, Yayın Yeri: INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, Yıl: 2009 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 8 - Analysis of current voltage temperature characteristics and T0 anomaly inCr n GaAs Schottky diodes fabricated by magnetron sputtering technique Korkut Hatun, Yıldırım Nezir, Türüt Abdulmecit, Doğan Hülya, Yayın Yeri: Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, Yıl: 2009 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 9 - Thermally annealed Ni n GaAs Si In Schottky barrier diodes Doğan Hülya, Yıldırım Nezir, Türüt Abdulmecit, Yayın Yeri: Microelectronic Engineering, Yıl: 2008 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 10 - The conductance and capacitance frequency characteristicsof Au pyronine B p type Si Al contacts ÇAKAR MUZAFFER,YILDIRIM NEZİR,DOĞAN HÜLYA,TURUT ABDULMECİT, Yayın Yeri: APPLIED SURFACE SCIENCE, Yıl: 2007 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 11 - Prediction of lateral barrier height in identically preparedNi n type GaAs Schottky barrier diodes Doğan Hülya, Korkut Hatun, Yıldırım Nezir, Türüt Abdulmecit, Yayın Yeri: APPLIED SURFACE SCIENCE, Yıl: 2007 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale 12 - Determination of the characteristic parameters of Sn n GaAs Al Ge Schottky diodes by a barrier height inhomogeneity model Doğan Hülya, Yıldırım Nezir, Türüt Abdülmecit, Biber Mehmet, Ayyıldız Enise, Nuhoğlu Çiğdem, Yayın Yeri: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, Yıl: 2006 Uluslararası Hakemli Endeks: SCI-Expanded Özgün Makale
BİLDİRİLER 1 - ELECTRICAL PARAMETER DETERMINATION OF AL P SI SCHOTTKY DIODE FROM I V AND C V CURVES USING MABC BASED METHOD KOÇKANAT SERDAR,DOĞAN HÜLYA,TÜRKAY YAVUZ,ÇIKAN MURAT,ÜNSAL ÇELİMLİ DERYA BETÜL (09.05.2017-12.05.2017), Yayın Yeri: 5th International Conference on Advanced Technology Sciences Uluslararası Özet bildiri ISBN: 2 - CURRENT VOLTAGE CURVE PREDICTION OF ANNEALED NI N GAAS SI IN SCHOTTKY BARRIER DIODE USING ANFIS KOÇKANAT SERDAR,DOĞAN HÜLYA,TÜRKAY YAVUZ,ŞEKER MUSTAFA,ÜNSAL ÇELİMLİ DERYA BETÜL,ÇIKAN MURAT (09.05.2017-12.05.2017), Yayın Yeri: 5th International Conference on Advanced Technology Sciences Uluslararası Özet bildiri ISBN: 3 - ANNEALING TEMPERATURE DEPENDENT CHARACTERIZATION OF NI AU N GAN SCHOTTKY DIODE USING ARTIFICIAL BEE COLONY ALGORITHM DOĞAN HÜLYA,KOÇKANAT SERDAR,TÜRKAY YAVUZ,ŞEKER MUSTAFA,ÇIKAN MURAT,ÜNSAL ÇELİMLİ DERYA BETÜL (09.05.2017-12.05.2017), Yayın Yeri: 5th International Conference on Advanced Technology Sciences Uluslararası Özet bildiri ISBN: 4 - PHOTOELECTRICAL PARAMETER CALCULATION OF METAL ORGANIC INORGANIC PHOTO DIODE USING AN APPROACH BASED MABC ALGORITHM DOĞAN HÜLYA,KOÇKANAT SERDAR,TÜRKAY YAVUZ,ÇIKAN MURAT,ÜNSAL ÇELİMLİ DERYA BETÜL (09.05.2017-12.05.2017), Yayın Yeri: 5th International Conference on Advanced Technology Sciences Uluslararası Özet bildiri ISBN: 5 - INVESTIGATION OF CURRENT AND VOLTAGE FLUCTUATIONS IN ELECTRIC ARC FURNACES WITH THE HELP OF PROBABILITY THEORY ŞEKER MUSTAFA,MEMMEDOV ARİF,ÇIKAN MURAT,DOĞAN HÜLYA,KOÇKANAT SERDAR (09.05.2017-12.05.2017), Yayın Yeri: 5th International Conference on Advanced Technology Sciences Uluslararası Özet bildiri ISBN: 6 - DESIGN OF DIFFERENTIAL RELAY APPLICATION WITH MATLAB SIMULINK FOR PROTECTION OF TRANSFORMER IN ELECTRIC ARC FURNACE EAF LOADS ŞEKER MUSTAFA,ÇIKAN MURAT,ARİF MEMMEDOV,KOÇKANAT SERDAR,DOĞAN HÜLYA (09.05.2017-12.05.2017), Yayın Yeri: 5th International Conference on Advanced Technology Sciences Uluslararası Özet bildiri ISBN: 7 - ABC method analysis for the Capacitance Voltage characteristics of Ni n GaAS In schottky barrier diode DOĞAN HÜLYA,KOÇKANAT SERDAR,ÜNSAL ÇELİMLİ DERYA BETÜL (03.06.2016-05.06.2016), Yayın Yeri: NanoTR-12 Uluslararası Poster ISBN: 8 - ABC method analysis for the Capacitance Voltage characteristics ofNi n GaAS In schottky barrier diode DOĞAN HÜLYA,KOÇKANAT SERDAR,ÜNSAL ÇELİMLİ DERYA BETÜL (03.06.2016-05.06.2016), Yayın Yeri: NanoTR-12 Uluslararası Özet bildiri ISBN: 9 - The parameter extraction of Al Ruthenium II complex p Type SiHeterojunction diode using optimization method DOĞAN HÜLYA,KOÇKANAT SERDAR,ÜNSAL ÇELİMLİ DERYA BETÜL (03.06.2016-05.06.2016), Yayın Yeri: NanoTR-12 Uluslararası Poster ISBN: 10 - The parameter extraction of Al Ruthenium II complex p Type Si Heterojunction diode using optimization method DOĞAN HÜLYA,KOÇKANAT SERDAR,ÜNSAL ÇELİMLİ DERYA BETÜL (03.06.2016-05.06.2016), Yayın Yeri: NanoTR-12 Uluslararası Özet bildiri ISBN: 11 - Electrical and Photovoltaic Characterization of Al Ru II p Si Heterojunction Structures DOĞAN HÜLYA,ORAK İKRAM,YILDIRIM NEZİR (03.06.2016-05.06.2016), Yayın Yeri: NanoTR-12 Uluslararası Poster ISBN: 12 - Electrical and Photovoltaic Characterization of Al Ru II p Si Heterojunction Structures DOĞAN HÜLYA,ORAK İKRAM,YILDIRIM NEZİR (03.06.2016-05.06.2016), Yayın Yeri: NanoTR-12 Uluslararası Özet bildiri ISBN: 13 - Fabrication and Electrical Characterization of Al n ZnO p Si Al Heterojunction Diode DOĞAN HÜLYA,ŞENADIM TÜZEMEN EBRU,DUMAN SONGÜL (25.02.2016-27.02.2016), Yayın Yeri: IPCAP 2016 Uluslararası Özet bildiri ISBN: 14 - Fabrication and Electrical Characterization of Al n ZnO p Si Al Heterojunction Diode DOĞAN HÜLYA,ŞENADIM TÜZEMEN EBRU,DUMAN SONGÜL (25.02.2016-27.02.2016), Yayın Yeri: IPCAP 2016 (Internatinal physics conference at the anatolian peak) Uluslararası Poster ISBN: 15 - Characteristic Diode Parameters of Thermally Annealed Ni n GaAs Schottky Contacts Over a Wide Measurement Temperature Range TURUT ABDULMECİT,YILDIRIM NEZİR,DOĞAN HÜLYA (25.02.2016-27.02.2016), Yayın Yeri: IPCAP 2016 Uluslararası Özet bildiri ISBN: 16 - Parameter Determination of the Schottky Barrier Diode Using by Artificial Bee Colony Algorithm Karaboğa Nurhan, Koçkanat Serdar, Doğan Hülya (-), Yayın Yeri: INISTA Uluslararası Tam metin bildiri ISBN: 17 - The Capacitance Voltage characterization of Ni Au n GaN contacts Orak İkram, Doğan Hülya, Ejderha Kadir, Yıldırım Nezir, Türüt Abdulmecit (-), Yayın Yeri: International Semiconductor Science and Technology Conference Uluslararası Poster ISBN: